136 кГц

[SPIREX]

Ну конечно измерял, просто если измерять как обычные смертные, тупо измерителем ёмкости на затвор и исток, то ёмкость всегда будет выше написанной так как учитывается ёмкости всех подложек транзистора. Даже если измерять на рабочей частоте с помощью NanoVNA, и с поданным смещением, то она всё ровно будет выше, она будет ёмкостью всех ёмкостей кристалла. Поэтому только замер сопротивления канала и напряжением пробоя, + ещё напряжение открытия.

[UA9FAD]

Что-то мне "не понравились" те транзисторы, которые тогда пришли в 2023 г. из Chine, при увеличении входного напряжения на входе полевиков не увеличивается ток УМ более примерно 2 А.

Александр, такое впечатление что траннзистор у тебя недогружен, т.е. несогласован.
Проверить транзистор лучше всего сняв вольтамперную характеристику.
Частота близка к "нашей - рентгеновской", для пятидесятикиловаттной мощности в инверторе стоят 32 штуки стоамперных. Выгорает как правило половина - для ремонта покупали на Али 100шт. и отбраковывали по ВАХ - 16 шт. набиралось более-менее идентичных.

[RA8JA]

то ёмкость всегда будет выше написанной так как учитывается ёмкости всех подложек транзистора.

Чушь. Изготовитель ёмкость публикует в ТТХ между затвором и истоком не между части "подложек", а всего устройства. То есть если изготовитель говорит, что должно быть 3750 пФ, то должно быть 3750 пФ. Если не так, то Чип и Дип мне подсунул подделку. Буду возвращать обратно это фуфло. То есть у мосфета в заявленных характеристиках должно быть 3750 пФ (плюс минус 100 пФ) между затвором и истоком, так и должно быть. А в данном случае более 5000 пФ. Т.о. китаёзы подсунули в Чип и Дип фуфло, кстати китаёзы это делают постоянно, тем более когда в розницу покупаешь элементы.  Если не 3750 пФ входной, то невозможно построить УМ с необходимыми характеристиками.