Автор Тема: РА на GaN транзисторах диапазона 6 см  (Прочитано 1977 раз)

0 Пользователей и 1 Гость просматривают эту тему.

Оффлайн EU2AA

  • Старожил
  • ****
  • Сообщений: 215
  • Репутация: +102/-7
  • QRA: KO34KI
Re: РА на GaN транзисторах диапазона 6 см
« Ответ #15 : 10 Январь 2019, 22:11:55 »
Схема УМ на GaN транзисторе
когда хотите сделать скриншот схемы в PCADе, лучше в Options/Display временно поменять цвета. Wire, Part, Junction, Line, Text - на Черный цвет, а Background - на белый.
Вернуться просто - кнопка внизу: Defaults.
Владимир,
ex UC2CED, RC2CA
2019 год - https://observablehq.com/@eu2aa
2017 год - http://eu2aa.com  
1992 год - http://eu2aa.qrz.ru

Оффлайн R3KAS

  • Постоялец
  • ***
  • Сообщений: 143
  • Репутация: +21/-2
Re: РА на GaN транзисторах диапазона 6 см
« Ответ #16 : 11 Январь 2019, 08:18:26 »
Хорошо, в следующий раз фон поменяю.

Оффлайн UA3TCF

  • Ветеран
  • *****
  • Сообщений: 1006
  • Репутация: +170/-3
  • QRA: LO26iu
Re: РА на GaN транзисторах диапазона 6 см
« Ответ #17 : 08 Июнь 2019, 16:56:29 »
Здравствуйте!
Купил CGH40035F более двух лет назад, но все не решался запаять его на медную пластину, так как нет опыта по таким операциям. Однако в этом году вышел из строя мой SSPA 12W и пришлось искать замену. Других вариантов как сделать новый SSPA самому не нашлось. Благодаря помощи SM6FHZ (документация и АТС конденсаторы), JA4BLC (платы усилителя и макетные платы питания), R3TGM (программа 3D моделирования), друга однокурсника (медная пластина) все необходимые компоненты были собраны. Осталось все это собрать воедино и настроить усилитель. Однако при настройке возникли проблемы - обе платы питания оказались неисправными (пробит транзистор ключа, неисправна микросхема компаратора, неисправен стабилизатор +5в). Из двух плат собрал одну частично рабочую. Транзистор, естественно, еще не устанавливал.
По установке транзистора есть три варианта: запаять на пластину (50Вт), просто прикрутить винтами с пастой (? ) и прикрутить винтами через теплопроводящую прокладку (50Вт). На данном этапе меня устроит 30 - 35 Вт выходной мощности. Прошу высказаться имеющих опыт в конструировании SSPA по второму варианту. Первый и третий проверены в SM и JA соответственно. Ссылка на презентацию GaN SSPA 6cm SM6PGP была дана выше. Что получилось у меня - на картинке. На двух транзисторах получают до 100 Вт. Ввиду того, что напряжение питания усилителя 28 - 48 вольт, он больше подходит для стационарного применения (ЕМЕ и т.д.). Кому интересно - присоединяйтесь, ведь вместе конструировать и веселее и продуктивнее.
« Последнее редактирование: 08 Июнь 2019, 17:01:35 от UA3TCF »
73! Александр

Оффлайн UA3TCF

  • Ветеран
  • *****
  • Сообщений: 1006
  • Репутация: +170/-3
  • QRA: LO26iu
Re: РА на GaN транзисторах диапазона 6 см
« Ответ #18 : 08 Июнь 2019, 22:56:45 »
GaN CGH40035 bias схема, модифицированная JA4BLC. Здесь нужно учесть, что некоторые элементы работают при напряжениях, близких к предельным. Поэтому для надежности напряжение питания не должно превышать 48 вольт, а лучше 40 - 45 вольт.
 
73! Александр

Оффлайн UA3TCF

  • Ветеран
  • *****
  • Сообщений: 1006
  • Репутация: +170/-3
  • QRA: LO26iu
Re: РА на GaN транзисторах диапазона 6 см
« Ответ #19 : 10 Июнь 2019, 10:34:40 »
Здравствуйте!
100 ватт 5760 МГц мощный усилитель конструкции SM6PGP, изготовленный JA4BLC.
Транзисторы установлены на радиатор через специальную 25 микрон прокладку.
73! Александр

Онлайн UA9FAD

  • Ветеран
  • *****
  • Сообщений: 5335
  • Репутация: +586/-50
  • QRA: LO88AA
Re: РА на GaN транзисторах диапазона 6 см
« Ответ #20 : 10 Июнь 2019, 10:37:09 »
Прокладка из углеродных нанотрубок?
Victor

Оффлайн ua3xcr

  • Очный чемпионат
  • Ветеран
  • *****
  • Сообщений: 1007
  • Репутация: +177/-60
Re: РА на GaN транзисторах диапазона 6 см
« Ответ #21 : 10 Июнь 2019, 10:45:15 »
А на каком материале получаются такие большие мосты?

Оффлайн UA3TCF

  • Ветеран
  • *****
  • Сообщений: 1006
  • Репутация: +170/-3
  • QRA: LO26iu
Re: РА на GaN транзисторах диапазона 6 см
« Ответ #22 : 10 Июнь 2019, 10:56:45 »
Термоинтефейс https://ru.rsdelivers.com/product/panasonic/eygs091203/thermal-interface-sheet-graphite-1600w-mk-115-x/7123986
Жаба душит купить 1 кв.дм за 2.5т.р. С кем скооперироваться?
Материал платы RT5870 31mil
73! Александр

Оффлайн ur5lx-1

  • Постоялец
  • ***
  • Сообщений: 80
  • Репутация: +20/-0
  • Подпись находится в стадии разработки
  • QRA: ko70wk
Re: РА на GaN транзисторах диапазона 6 см
« Ответ #23 : 10 Июнь 2019, 11:07:54 »
Алексей UT3LK тоже  делает. Мне повезло купить CGH40045FE они были по 50 в США.
Плату мне тоже подарил Йоширо JA4BLC , старый , хороший друг. Работал с ним на 6 см в ДУБУСЕ.Проходил громко и ответил сразу. Видно операторское мастерство. Чего не скажешь об остальных СВЧ ЕМЕ ТЛГ операторах.
В основном СВЧ -это конструкторы , а операторы вторично. Их мало интересует этот аспект.Но это лирика.
На фото большой вопрос по охлаждению . Либо не видно второго вентилятора , либо второй вентилятор снят.
Я думаю нужен хороший до 200-300 м3 в час.

Оффлайн UA3TCF

  • Ветеран
  • *****
  • Сообщений: 1006
  • Репутация: +170/-3
  • QRA: LO26iu
Re: РА на GaN транзисторах диапазона 6 см
« Ответ #24 : 10 Июнь 2019, 11:34:30 »
На фото большой вопрос по охлаждению . Либо не видно второго вентилятора , либо второй вентилятор снят
Прикрепил фото радиатора JA4BLC SSPA 100W 5760 MHz, а также какое эхо с этим усилителем и оффсет 2.4м имеет JA4BLC, либрация маленькая, но тем не менее....
73! Александр

Оффлайн ur5lx-1

  • Постоялец
  • ***
  • Сообщений: 80
  • Репутация: +20/-0
  • Подпись находится в стадии разработки
  • QRA: ko70wk
Re: РА на GaN транзисторах диапазона 6 см
« Ответ #25 : 10 Июнь 2019, 14:39:44 »
Да это похоже на правду 120х120 вентилятор. Кубов 200 возможно и дает.

Онлайн UA9FAD

  • Ветеран
  • *****
  • Сообщений: 5335
  • Репутация: +586/-50
  • QRA: LO88AA
Re: РА на GaN транзисторах диапазона 6 см
« Ответ #26 : 11 Июнь 2019, 23:18:42 »
Термоинтефейс https://ru.rsdelivers.com/product/panasonic/eygs091203/thermal-interface-sheet-graphite-1600w-mk-115-x/7123986
Жаба душит купить 1 кв.дм за 2.5т.р. С кем скооперироваться?
Материал платы RT5870 31mil

Сижу и размышляю насчет толщины интерфейса. При толщине прокладки 25мк при половинном прожатии прокладки класс чистоты поверхности должен быть не ниже 6-7 (не говоря о плоскости поверхностей).Встречаю рекомендацию с толщиной 70 - 100мк (это уже под фрезеровку), но ведь термосопротивление при этом увеличится в три раза. При пайке припой заполнит только шероховатости и неровности, а медь транзистора и радиатора будут соприкасаться. Склоняюсь к пайке низкотемпературным припоем.
Victor

Оффлайн UA3TCF

  • Ветеран
  • *****
  • Сообщений: 1006
  • Репутация: +170/-3
  • QRA: LO26iu
Re: РА на GaN транзисторах диапазона 6 см
« Ответ #27 : 12 Июнь 2019, 09:02:39 »
Здравствуйте!
класс чистоты поверхности должен быть не ниже 6-7 (не говоря о плоскости поверхностей)
По поводу шероховатости поверхности можно посмотреть здесь:
http://razvitie-pu.ru/?page_id=2941
Когда разрабатывал медное основание для платы усилителя, пришлось вспоминать черчение. Размеры сделаны под конкретную плату, которая не совсем совпадает с оригиналом разработчика SM6PGP. Предупреждение - чертеж нормоконтроль  не проходил, поэтому могут быть ошибки. На этом чертеже не показаны отверстия. Критика и замечания приветствуются (пригодится при разработке проекта SSPA на двух транзисторах). Чертеж основания для 50 Вт SSPA прилагается.

Термоинтефейс https://ru.rsdelivers.com/product/panasonic/eygs091203/thermal-interface-sheet-graphite-1600w-mk-115-x/7123986
Жаба душит купить 1 кв.дм за 2.5т.р. С кем скооперироваться?
Материал платы RT5870 31mil

Сижу и размышляю насчет толщины интерфейса. При толщине прокладки 25мк при половинном прожатии прокладки класс чистоты поверхности должен быть не ниже 6-7 (не говоря о плоскости поверхностей).Встречаю рекомендацию с толщиной 70 - 100мк (это уже под фрезеровку), но ведь термосопротивление при этом увеличится в три раза. При пайке припой заполнит только шероховатости и неровности, а медь транзистора и радиатора будут соприкасаться. Склоняюсь к пайке низкотемпературным припоем.


Хозяин - барин....
« Последнее редактирование: 12 Июнь 2019, 09:41:14 от UA3TCF »
73! Александр

Оффлайн UA3TCF

  • Ветеран
  • *****
  • Сообщений: 1006
  • Репутация: +170/-3
  • QRA: LO26iu
Re: РА на GaN транзисторах диапазона 6 см
« Ответ #28 : 13 Июнь 2019, 10:20:26 »
Здравствуйте!
Конечно, для электрических и тепловых параметров пайка транзистора хороший вариант, но надо иметь достаточно толстую фрезерованную медную пластину и иметь опыт такой пайки. Я полгода искал того кто бы мог сделать эту медную пластину под транзистор. При использовании указанной выше термопрокладки медную пластину можно заменить на алюминиевую. Конечно, алюминий тоже надо выбирать с хорошей теплопроводностью. JA4BLC делал усилитель на двух CGH40035F как с медной пластиной 8мм толщины, так и с алюминиевой пластиной 10мм. В первом случае выходная мощность была 102 Вт, во втором 98 Вт. Разница небольшая.
Во вложении фото усилителя JA8CMY как раз с алюминиевой пластиной. Кстати, в 10 Вт драйвере транзистор CGH40006P тоже стоит на алюминиевом корпусе.
« Последнее редактирование: 13 Июнь 2019, 10:26:39 от UA3TCF »
73! Александр

Оффлайн R3KAS

  • Постоялец
  • ***
  • Сообщений: 143
  • Репутация: +21/-2
Re: РА на GaN транзисторах диапазона 6 см
« Ответ #29 : 18 Июнь 2019, 13:49:27 »
Я предпочитаю GaN транзисторы напаивать. Припой ПОИн.
Паяется на плитке, выводы транзисторов, так же паяются ПОИн, при этом в случае необходимости замена транзистора очень простая: нагреть на плитке усилительный модуль до 125 градусов C и транзистор снимается целиком.
Теплопроводящая паста - не самое хорошее решение на СВЧ, можно получить самовозбуждение.
Толстое медное основание необязательно, достаточно толщины 3мм, медное основание не столько для отвода тепла сколько для напайки транзистора и печатной платы. Вот плату надо паять очень тщательно, чтобы небыло щелей между платой и корпусом.
Прилагаю простую схему смещения и защиты для GaN транзисторов, проверенную на практике.
Если использовать напряжение питания 48В, то номинал резистора R10 надо увеличить в три раза.