PRE TS-2000
Назад-
С Новым годом всех. Меня интересует вопрос: в кенвуде TS-2000 нарисована одна схема, а на печатной плате пин диоды стоят в другую сторону. А на основной функциональной указаны направления пин диодов в другую сторону. Вышел из строя ПРЕ Q12 и Q705 от наводки молнии, точнее статики. Три года искал полевики 2SK2596BX, получил из Али экспресс. Установил, но они не работают, на истоке и стоке 7 вольт. Диоды ранее менял, D38 D39. В каком направлении они должны стоять на плате? По схеме в одном направлении, а на плате нарисованы в другом направлении. Какой схеме верить надо?
------------------------------
Впаял новые, проверил напряжение ( так же расхождение , опечатка напряжений), включил ПРЕ и с Q12 пошёл дымок, перегреваются. Снял, проверил на приборе М2, исправный оказался.
2020-01-02_171049
2020-01-01_231231
2020-01-02_182651
2020-01-02_182943
2020-01-02_122427
-
При ремонте своего TS-2000 столкнулся с аналогичной проблемой,на схеме одно,а на плате совсем другое...потом оказалось что есть два сервис мануала на этот трансивер..так вот второй сервис мануал оказался то что надо и дело сразу пошло..а то тоже тыкался как слепой котёнок..а вот где я его нарыл в инете честное слово не помню...это было так давно..
-
Какой схеме верить надо?
Нужно понимать логику работы этих диодов. При подаче напряжения с ключевого
транзистора Q14 диоды открываются и включают предусилитель в схему приёмника
между полосовыми фильтрами и смесителем. От усилителя они развязаны конденсаторами и на его работу по постоянке не оказывают никакого влияния.
Следовательно у Вас транзисторы скорее всего подделка, либо возбуждаются.
-
От усилителя они развязаны конденсаторами и на его работу по постоянке не оказывают никакого влияния.
Не подскажите, почему при включении ПРЕ на стоке и истоке по 7,5 вольт? А на дросселе L 57 с Q14 приходит 10,5 в ( дроссель и Q12 греются)? Проблема именно в полевом транзисторе?
Почему при выпаянном Q12 на истоке прибор показывает 120 ом на посадочном месте на плате? А на Q705 260-280 ом? Где там в схеме есть утечка? Смотрел через лупу, посадочное место транзистора промывал спиртом. Ни где не нашёл "КЗ" утечки.
По схеме указан полевик 2SK2596E, а я применил 2sk2596BX.
По прибору М2 полевик показывает:
Ut = 1.2V Cg = 1.26pf RDS = 2 om Uf = 642 mV -
По схеме указан полевик 2SK2596E, а я применил 2sk2596BX.
Доброго дня! С Новым Годом!!!
Было у меня подобное повреждение, лет 13-15 назад. Тонкостей уже и непомню.
Транзисторы брал с кенвуда ТК2107. Трудятся до сих пор.
SAM_4627.jpg
SAM_4628.jpg
-
Не подскажите, почему при включении ПРЕ на стоке и истоке по 7,5 вольт?
Уважаемый Игорь! Судя по Вашим вопросам, Вы слабо представляете как работают полупроводники. Поэтому я бы не стал испытывать судьбу и отдал трансивер в ремонт более компетентным коллегам. -
Уважаемый Игорь! Судя по Вашим вопросам, Вы слабо представляете как работают полупроводники. Поэтому я бы не стал испытывать судьбу и отдал трансивер в ремонт более компетентным коллегам.
Уважаемый Александр. Спасибо за нравоучение и мораль. С Новым годом!73!
Ответ на ваш запрос , что такое полупроводник и как он работает.
О том что такое полупроводник и как он работает
Полупроводниками (seicomnductor) называют вещества, которые по способности проводить электрический ток занимают промежуточное положение
между металлами (проводниками) и диэлектриками (изоляторами).
======================================================
Для НЕПОНЯТЛИВЫХ, на моём ТС-2000 новый впаянный полевой транзистор разогревается через 10-15 секунд до такой температуры, что дотронутся до него пальцем не возможно и с корпуса идёт дымок с запахом гари! СЛАВНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК, ГРЕЕТСЯ БЫСТРО, А ТОЛКУ ОТ НЕГО НЕТ.
К классу полупроводников принадлежат многие из известных веществ. Ими могут быть как химически чистые вещества, так и различные соединения и даже сплавы некоторых металлов. По структуре эти вещества могут быть кристаллическими или аморфными, однако, как правило, для изготовления полупроводниковых приборов используют вещества с кристаллической структурой. Исходным материалом наиболее часто служит германий Ge или кремний Si, а также арсенид галлия GaAs - полупроводник, являющийся химическим соединением.
При качественном анализе механизма проводимости полупроводников обычно используется плоскостной моделью кристаллической решетки.
На (рис.39-а) показана модель решетки химически чистого полупроводника - германия, каждый атом которого имеет на внешней оболочке четыре валентных электрона. Например для атома I это электроны 1, 2, 3, 4. При образовании кристалла каждый валентный электрон в веществе начинает двигаться по орбите, окружающей не только свой атом, но и соседний. Таким образом, каждая соседняя пара атомов имеет общую пару электронов, движущихся по двум общим орбитам. Такая связь атомов называется ковалентной. В целом судя по представленной модели, каждый атом связан с соседними атомами восемью орбитами, по которым движутся четыре пары электронов. На (рис.39-а) эти связи изображены тонкими прямыми линиями. На примере для атома I и II общие электроны 1 и 5, а для атомов I и III - это электроны 2 и 9 и т.д.
В химически чистых полупроводниках при температуре абсолютного нуля свободных носителей зарядов нет. С повышением температуры валентные электроны приобретают дополнительную тепловую энергию и некоторые из них (электроны с наибольшими скоростями хаотического теплового движения) могут, разорвать связь с атомами и стать свободными носителями зарядов. Атом, потерявший электрон, становится положительно заряженным ионом. Эти ионы не являются носителями зарядов, так как они жестко связаны межатомными силами.
При отрыве электрона от атома образуется так называемая дырка - разорванная валентная связь в атоме (рис.39-б). Дырке приписывается положительный заряд, равный по значению заряду электрона. Эта вакантная валентная связь может быть вновь заполнена электроном, оторванным от соседнего атома под действием электрического поля. При заполнении дырки электроном данный атом становится электрически нейтральным, а у соседнего атома, потерявший электрон, появляется дырка, которая, в свою очередь, также может быть заполнена электроном от следующего атома и т.д. Таким образом, процесс перехода электрона от нейтрального атома к соседнему атому с дыркой под влиянием положительной разности потенциалов можно представить как процесс перехода дырки от положительного иона к нейтральному атому, т.е. как будто условно-положительный заряд - дырка - движется в сторону, противоположную движению электрона.
Электропроводность, при которой электрон последовательно занимает дырку у рядом расположенного атома, т.е. в каждый момент времени в веществе преобладает "свободные" дырки, которые переходят от одного соседнего атома к другому, называется дырочной или электропроводностью p-типа (positive). Электропроводность, обусловленная движением свободных (избыточных) электронов между узлами кристаллической решетки, называется электронной или электропроводностью n-типа (negative).
Возникновение в полупроводнике свободных электронов и дырок при повышении температуры называется термогенерацией носителей зарядов, а процесс возвращения свободных электронов на место разорванной валентной связи - рекомбинацией носителей зарядов. При определенных условиях между этими двумя процессами устанавливается динамическое равновесие, т.е. концентрация дырок и электронов в заданном объеме становится постоянной, а их количество - одинаковым. Дырки и электроны в полупроводнике без примесей обеспечивают собственную электропроводность, которая складывается из электропроводности p-типа и n-типа. Последняя обычно преобладает, так как электроны более подвижны, чем дырки, оттого, что дырка может перемещаться только между соседними атомами. Концентрация носителей зарядов в чистых полупроводниках мала. Например, для германия при обычной температуре число свободных носителей зарядов составляет примерно 10-8 степени % от общего числа атомов (в металлах число свободных электронов примерно равно числу атомов). Поэтому удельная электропроводность полупроводников значительно меньше, чем у металлов. Появление дополнительных носителей зарядов в полупроводнике с повышением температуры и разрыв валентных связей приводят к уменьшению его сопротивления, а в металле с ростом температуры сопротивление обычно увеличивается. Уменьшение сопротивления полупроводника может быть вызвано также другими внешними факторами, например воздействие излучений. Но особенно сильно влияет на свойство полупроводников наличие примесей других веществ.
Как уже упоминалось выше, в полупроводниковых приборах практически не используются химически чистые полупроводники, а применяются главным образом полупроводники с примесями, добавление которых приводит к существенному увеличению числа носителей зарядов. Электропроводность таких полупроводников называется примесной.
Рассмотрим механизм образование зарядов, воспользовавшись снова плоскостной моделью кристаллической решетки. Если в четырехвалентный германий добавить пятивалентное вещество, например сурьму, то пятивалентный атом сурьмы четырьмя валентными электронами образует ковалентную связь с четырьмя соседними атомами германия, а пятый валентный электрон атома сурьмы остается "лишним" и может быть достаточно легко отделен от атома. Такие полупроводники обладают электропроводностью n-типа. Примеси, которые отдают исходному полупроводнику свои электроны, называют донорными.
Добавим в четырехвалентный германий трех валентный индий. В этом случае при образовании решетки трехвалентный атом индия для установления ковалентной связи с четырьмя соседними атомами германия оторвет один электрон от близлежащего атома германия. Атом индия приобретают отрицательный заряд, а на месте оторванного электрона возникает дырка. Такие примеси, добавление которых к полупроводнику приводит к появлению дырок, называют акцепторными (забирающими электроны), а полученный полупроводник с дырочной электропроводностью - полупроводником p-типа.
В примесных полупроводниках концентрация носителей зарядов всегда превышает (в 100 раз и более) концентрация носителей зарядов в исходного вещества. Поэтому удельное электрическое сопротивление примесного полупроводника всегда значительно меньше, чем исходного химически чистого. Однако даже в примесном полупроводнике число носителей зарядов намного меньше числа атомов; они составляют не более 10-4 степени % от общего числа атомов.
Носители зарядов, преобладающие в данном полупроводнике, называют основными; носители зарядов, концентрация которых в данном полупроводнике меньше концентрация основных носителей, называют неосновными. Для полупроводника n-типа основные носители заряда - электроны, а неосновные дырки; для полупроводника p-типа основные носители - дырки, неосновные - электроны.
Если полупроводники подключить к источнику тока, носители заряда, имеющиеся в нем, начинают перемещаться направленно: дырки - к отрицательному полюсу, электроны - к положительному, т.е. возникают электронный и дырочный дрейфовые токи, образующий общий ток через полупроводник (рис.40).
О том что такое полупроводник и как он работает Полупроводник, Кремний, Германий, Электроника, Длиннопост
Дырки перемещаются только в полупроводнике, причем только между соседними атомами. У положительного полюса дырка возникает за счет отрыва электрона от атома и ухода его во внешнюю цепь. Во внешней цепи ток образуется только за счет электронов проводимости. У отрицательного полюса дырка рекомбинирует с электроном, поступившим из внешней цепи.
При подаче на полупроводник p-типа напряжения подавляющая часть тока образована дырками - основными носителями. В полупроводнике с электронной проводимостью ток образуется главным образом электронами. При смене полярности напряжения изменяется также направление тока.
Направленное движение носителей зарядов может вызываться не только электрическим полем, но и разной их концентрацией в объеме вещества. Процесс направленного движения носителей зарядов, вызванный их неравномерной концентрацией, носит название диффузии носителей зарядов, а соответствующий ток называют диффузионным в отличие от дрейфового тока.
2020-01-03_174547
2020-01-03_174437
-
Всех коллег по хобби с новогодними праздниками ! Извиняюсь , а пост выше , это новый вид прикола или как ?
-
Олег, я как автор данной темы хочу Вас спросить: А вы кому и куда пишите? Поздравления с Новым Годом совсем в другой ветке. Всех коллег по хобби с новогодними праздниками ! Извиняюсь , а пост выше , это новый вид прикола или как ?
-
с алика брал подобные транзисторы в автомобильный кенвудок. получилось тоже партия не рабочих 10 шт а потом сразу еще у двух продавцов -рабочие но в пачках параметры не совпадают и близко. короче вкорячил 2 шт 998 этажеркой пока норм. а на ебее тоже покупать хз. вот такая не приятная история была .
-
с алика брал подобные транзисторы в автомобильный кенвудок.
Я так же понадеялся на этот Али ... 5 шт взял, а толку нет. Они имеют внутреннее сопротивление 2 ом ( R D-S ) и ток 642 ма! А нормальный 2596 Е имеет 400 ма.
==========================
Для тех кто пытается быть умным ... советую почитать тут:
http://www.sxemotehnika.ru/zhurnal/kak-proverit-polevoi-tranzistor-multimetrom-1.html
https://www.youtube.com/watch?v=l1r68J5xegc
Использую такой же прибор-тестер М2.
2019-11-21_175844
-
Ровно четыре года назад этот вопрос ремонта уже
поднимался на дружественном форуме -
Ровно четыре года назад этот вопрос ремонта уже
Года три-четыре назад я уже подымал этот вопрос на разных форумах и менял только Q12.
поднимался на дружественном форуме
А теперь оба вылетели из строя. Тогда друг мне их прислал UA6MP. Знаком с ним лично, приезжал ко мне на Камчатку и работал по флоре и фауне с национального заповедника Налычево в 2003 году ... с моей аппаратуры и антеннами. За что я ему был благодарен, а сейчас у него нет таких транзисторов, да и по России их не продают.
2016-05-13_094931
DSC03088.JPG
-
Почему при выпаянном Q12 на истоке прибор показывает 120 ом на посадочном месте на плате? А на Q705 260-280 ом? Где там в схеме есть утечка?
Утечки там нет. А прозваниваются элементы схемы. Различие может быть из-за изменения номиналов аттенюатора (R68, R69, R70):
Preamp.jpg