"Внутренний голос" подсказывает, что разницы НЗ и НО быть не должно, но она есть, и будет - другой вопрос какая. Сейчас это один-два процента, неплохой параметр погрешности.
Это не погрешность, а влияние емкости меж торцевыми поверхностями
ц. жилы и экрана, избавиться от влияния которой невозможно.
1...2% (1.5...3 МГц) на 145 МГц это 0,2...0,5 пф емкости.
А при НЗ влияние индуктивности замыкающего диска мизерно.
Её практически нет.
Зря вы дважды игнорировали рассчитать это в RFSimm99.
p.s.
еще добавлю, эта разница при трансформации бесконечности в ноль.
При реальных К трансф. она увеличивается по мере уменьшения К трансф.
При к трансф1:1 она достигает частоты измерения (0 реактивности уходит
до нулевой частоты)