Николай!
Вы затронули весьма интересую, но очень сложную тему.
Что бы приблизиться к глубине проблемы измерения S параметров мощных транзисторов можно прочитать, например, это:
http://electronix.ru/forum/index.php?showtopic=87463&st=0По вашей методике пока один вопрос, - VNA за 40 тысяч баксов не жаль?! В любой момент транзистор на этом "стенде" возбудится, и ... Предлагаю переименовать тему в "Как не нужно измерять импедансы LDMOS транзистора"
Фирмы изготовители транзисторов все уже измеряли, и выложили нелинейную модель для MWO и (или) ADS пакетов моделирования. S пармаметры могут помочь в согласовании лишь в одной точке входной мощности, и обычно используются для описания линейных устройств (микросхем LNA например).
Тем не менее с большим интересом наблюдаю за вашими экспериментами, если решитесь их продолжить. На то мы и радиолюбители что бы делать все куда проще, чем всякие фирменные рекомендации
Успехов, и пожалуйста без обид
p. s. Пока не умею, но догадываюсь что в MWO с помощью нелинейной модели можно построить график Zin, Zout от частоты для любого значения мощности на входе. Только зачем это делать, если такая модель много точнее описывает транзистор, чем S параметры?