Автор Тема: вопрос по ATF-33143  (Прочитано 4264 раз)

0 Пользователей и 1 Гость просматривают эту тему.

Оффлайн RU7L

  • Silent KEY (SK)
  • Ветеран
  • *
  • Сообщений: 2214
  • Репутация: +242/-33
  • Геннадий RU7L
  • QRA: KN97LN
вопрос по ATF-33143
« : 11 Февраль 2007, 17:08:15 »
Подскажите кто знает, чем отличаются эти транзисторы:
ATF-33143
ATF-33143BLK
ATF-33143BLKG
ATF-33143BLKG PBF
ATF-33143BLK AVG
ATF-33143TR1
ATF-33143TR2
ATF33143TR1G
ATF33143TR2G
ATF-33143BETA
Геннадий.
Геннадий RU7L, ex RN6MT

Оффлайн ru3ace

  • Глобальный модератор
  • Ветеран
  • *****
  • Сообщений: 781
  • Репутация: +56/-20
Отв:вопрос по ATF-33143
« Ответ #1 : 11 Февраль 2007, 18:25:18 »
Гена,насколько я знаю все это разные типы упаковок транзисторов,за исключеним atf-33143beta,про эти не знаю.
73!RU3ACE Max
Skipe ru3ace_max
"Мы выходим на рассвете..."

Оффлайн RU7L

  • Silent KEY (SK)
  • Ветеран
  • *
  • Сообщений: 2214
  • Репутация: +242/-33
  • Геннадий RU7L
  • QRA: KN97LN
Отв:вопрос по ATF-33143
« Ответ #2 : 11 Февраль 2007, 19:37:48 »
ru3ace писал(а):
Цитировать
Гена,насколько я знаю все это разные типы упаковок транзисторов,за исключеним atf-33143beta,про эти не знаю.


Спасибо за инфо Максим. Упаковки это ничего.
Лишь бы не разные типы корпусов и параметры.
Геннадий RU7L, ex RN6MT

Оффлайн RA3WDK

  • Ветеран
  • *****
  • Сообщений: 6996
  • Репутация: +785/-88
Вопросы по МШУ
« Ответ #3 : 11 Февраль 2007, 20:22:50 »
подскажите , есть ли где S-параметры S11
для 3П325 3П373 ?
Хотя бы на одной частоте , может кто-то видел ?
---------------------------------------------
 И еще вопрос , что означает параметр Го в даташите???
(размерность параметра как у S11 Mag <Angle)

Часто этот параметр приводиться к Кш оптимальному.
И отличается от S11 , может это S-параметр согласующей цепочки для достижения Кш опт?
---------------------------------------------


При использовании транзисторов типа ATF33143 35143 MGF 1301  используется две схемы питания затвора МШУ. Первая схема - затвор питается напряжением автосмещения (сопротивление в истоке, шунтир. емкостью).
Вторая схема ( к примеру схема UN7GM) - затвор питается синтезированным отрицательным напряжением.
(правда у UN7GM есть недостаток , напряжение на затвор поступает с опозданием , что опасно для транзистора , неободимо вначале подавать отрицательное напряжение, потом положительное на сток).
В чем необходимость усложнения МШУ при выполнении его по второй схеме ? (кроме реализации его на частотах выше 5-6 ГГц, где трудно запаять К10-71 непосредственно под исток транзистора)

Буду рад продолжить данную тему в привате , если объемы информации будут выходить запредельные :-)