Применение усилителей мощности от мобильных телефонов.
Общие положения по применению.
Многих пугают в Даташитах резко оговоренные границы диапазонов 880...915 МГц и 1710...1785, 1850...1910 МГц.
Фактически это не модуль или микросборка, а больше - микросхема.
Все частотозадающие цепи (фильтры) находятся вне микросхемы. Отличия только в уровнях мощности и в граничных частотах каналов. Как правило - все двухканальные. Управление - по одному из выводов подачей "0" или "1" (порядка 2,5В).
Как правило - все м/сх Ку порядка 30 дБ (грубо говоря 1мВт - 1Вт). По входу осторожно с перекачиванием (даташиты оговаривают).
Рвых от 30 до 35 дБм в 1-м поддиапазоне (900) и 30...34 дБм во 2-м (1800-1900).
Учитывая Ку - значительное упрощение тракта ТХ диапазона 1296 МГц: смеситель - фильтр - м/сх, или при необходимости после фильтра - буфер на 1-м транзисторе.
Номенклатура - огромная (порядка до полусотни). Цена от 2 до 5 $.
Спрашивать лучше не в фирмах электронных компонентов, а в фирмах, поставляющих все для ремонта моб ТЛФ.
(№1)Заготовки плат под микросхемы AWT6105, AWT6106.
Это микросхемы более ранних годов выпуска - однодиапазонные.
Платы подготовлены для установки в трансвертер US4ICI.
Ожидаемая мощность порядка 1Вт.
Собранная плата (№2) микросхема PF08123
Питание производилось от элементов Ni-Cd АКБ по 1,25В (2,8 А/ч).
1.Напряжение - 3,35В.Ток покоя 0,9А. При подаче сигнала - ток 1,1А.
Прибавка по току 200 мА
Подв. мощность 4,5ВТ.
2.Напряжение 4,3В.Ток покоя 1,8А. С сигналом 2,1А.
Итого прибавка 300 мА
Подв. мощность 9ВТ.
У м/сх есть вывод - рег. мощности. В отличие от модулей RA18H1213, где по выв 2 в основном - регулировка начального тока, позволяет производить регулировку до 55 дБ при изм. напряжения от 0 до 2,4...2,7В (подробно в Даташитах на каждую м/сх)
Пробовал подавать 0В. Мощность сбрасывается до 0. Ток покоя - тоже 0.
По этому выводу можно производить ТЛГ манипуляцию (с некоторыми мерами предосторожности, особенно при суммировании. Необходимо учитывать броски по току при манипуляции, т.е. обязательно включение диодов в обратном направлении параллельно питанию Ус модуля, нежелательное применение эл. конд-ров с индуктивностью - из Ал. фольги и т.д).
Собранная плата (№3) микросхема СХ77301
Результат не сильно можно сопоставлять с предыдущим, т.к. здесь я использовал канал 1800 для частоты 1300 и м/сх несколько др. класса.
Напряжение 3,8 В - ток покоя 0,75А. При подаче сигнала 0,85-0,9А.
Подв. мощность 4,5ВТ.
Различия микросхем:
Номинальное напряжение питание (практически для всех типов - 3,5В).
Напряжение, при которых производитель нормирует параметры и гарантирует работоспособность - в интервале от 2,7...2,8 до 4,5В.
Максимально допустимое напряжение практически у всех 5,5В, для некоторых типов до 7...8В.
При таком напряжении питания происходит переход микросхемы в форсированный режим. При этом возрастает все - и начальный ток и отдаваемая мощность. Естественно, в этих режимах производитель не дает никаких гарантий и данных в даташитах.
Плачевные результаты такой попытки уже были (питание 6,5В).
Именно для этой микросхемы (СХ77301) производитель предусмотрел несколько степеней защиты. К сожалению, я это обнаружил после приобретения и изготовления плат. В Даташитах об этом моменте упоминаний никаких нет (но можно определить косвенно - если будет интерес, подскажу, как - это обнаружилось уже после изготовления).
1-я степень защиты - по температуре.
При работе (с прогревом) постепенно падает ток.
Ток падает порядка до 0,6А
2-я степень защиты - от повышенного напряжения.
При повышении напряжения от 4,2...4,4В - микросхема начинает сбрасывать ток. При напряжении питания 5В - ток покоя порядка 0,3А.
Поэтому то, что оговорено в Даташите - больше с нее взять невозможно.
Единственное - в интервале от 3,5В (номинальное напряжение) до 4В можно найти точку повышенной мощности. В этом интервале прибавки по току нет, но есть прибавка по мощности за счет увеличения напряжения. У меня это получилось порядка 3,8...3,9В.
(№4)Заготовка платы под усилительный модуль с суммированием для микросхем 2хСХ77301.
Особенностей здесь нет. Трансформация выходного сопротивления м/сх - 50 Ом в 100 Ом с помощью Л/4 МПЛ линии.
Единственное, на чем можно остановиться (эта плата изготовлена, чтобы проверить такой способ):
- как то не было особого интереса изготавливать источник питания на 4В с током 5...8А. Учитывая довольно большой ток покоя, применено последовательное питание по пост. току. При этом можно применить стандартный стаб. 8...9В с током до 3А. (Пока этот момент не проверялся).
Учитывая полученные результаты, я сейчас отказался от реализации трансиверного режима в диапазоне 5,76 ГГц. Сейчас в стадии изготовления довольно простой мощный CW передатчик по структуре:
- VXO 20(32, 40) MHz;
- генератор с синхрозахватом 640 MHz, далее - утроитель на 1920 MHz + усилитель со сложением N (скорее всего 4 м/сх) - до 10 Ватт. Далее - варакторный утроитель.
По этому же принципу можно было сделать тракт ТХ (уже для трансиверного режима) по схеме С.Г. Жутяева - на 1(2) м/сх генератор накачки на частоту 5616/3 и параметрический варакторный смеситель ТХ.
73 и успехов!
Вячеслав.
