Использовать преобразователь уровня CMOS -> PECL (LVPECL) и непосредственно подключить порт гетеродина смесителя к выходам ИМС через конденсаторы. Уровни PECL и LVPECL - 0.8В для одного выхода и 1.6В при дифференциальном включении нагрузки. Важно, что бы у смесителя порт гетеродина имел два вывода (как у RMS, LRMS, про ADE не знаю), т.е. не был внутри соединен с массой.
Смотрите проект UHFSDR WB6DHW, там правда триггеры, но принцип тот же.
У меня в готовой конструкции 193ИЕ1 (резисторы с выходов (выв. 2 и 4) на землю 470 Ом и питание 6 вольт), смеситель LRMS-2MH, уровень гетеродина +12..+13 dBm.
В другой моей конструкции MEMS TCXO SIT9122 420 МГц питание 3.3В, резисторы 150 Ом - уровень +13 dBm для LRMS-2MH.
Экспериментировал и с другими микросхемами, но более +13dBm (LRMS-2MH) получить не удалось. Теоретические 1.6В это +17dBm.
Наиболее навороченные преобразователи, например AZP54, позволяют параллелить выходы микросхем, переводя неиспользуемые в высокоимпедансное состояние, например, что бы подключить второй гетеродин.
Естественно, преобразование идет и на кратных частотах, однако применять ФНЧ для меандра, по моему неправильно.