Здравствуйте. Здесь Виктор R3KR очень правильно подметил и очень просто на пальцах разъяснил проблему выхода транзистора из строя из-за одного, как бы механического параметра, - сопротивления отвода тепла от кристалла. Этот параметр обычно указан в даташите, но не все на него обращают внимание.
Я хочу затронуть второй и очень немаловажный параметр – средняя, рассеиваемая транзистором мощность – «average power». Попросту говоря, если мы подадим на 1 минуту постоянную мощность возбуждения, то желательно не превышать этот параметр. Этот параметр часто обозначается, как «Рavr» или Pav. Данная информация применима практически ко всем транзисторам для УКВ и СВЧ. Я привожу скрины кусков из даташитов для четырёх транзисторов. Из них мы видим, что наш любимый транзистор для РА на 1296 МГц типа MRF6S9160 имеет параметр средней мощности всего в 35 Ватт!!! Это – один из наиболее слабых транзисторов. Да, народ снимает с него для работы ЕМЕ минутными циклами 150-160 Ватт, но при этом обеспечивает хороший отвод тепла от кристалла, фланца транзистора (пайка транзистора на медный субрадиатор) и медного субрадиатора. Этот режим есть неправильный режим и не стоит удивляться частому выходу транзисторов из строя. Здесь и сопротивление для отвода тепла большое, точнее – недостаточное для отвода тепла. Плюс превышен параметр Pavr обычно в 4 раза минимум!!! Для пластикового транзистора MRF8S9200 параметр средней мощности уже 58 Ватт. Правильно настроенные входные и выходные цепи дают возможность реально получить выходную мощность на 1296 МГц в 230 Ватт. И у MRF8S9200 лучший параметр по отводу тепла от кристалла, чем у MRF6S9160. Тестировал несколько транзисторов в различных дизайнах, но… Через 30 секунд работы на такой мощности душа транзистора «улетает в сторону барханов»…Я бы использовал для ЕМЕ такой транзистор на мощности не более 180 Ватт. Попросту говоря с трёхкратной перегрузкой по параметру Pavr. Привожу без комментариев скрины транзисторов MRF8S9260 и AFV09P350-04.
10 лет назад в этой теме радиолюбители обсуждали вопрос о выходной мощности транзисторов. Некоторые из них обращали внимание, что параметр выходной мощности очень часто оговаривается для импульсного микросекундного или миллисекундного режима транзистора с коэффициентом заполнения импульсов всего лишь в 10%. По этой причине 35 Ваттный транзистор становится как бы 350 Ваттным. Будьте внимательны и осторожны в выборе выходной мощности. Юрий.
