Автор Тема: 1 кВт на УКВ, на новых транзисторах!  (Прочитано 542747 раз)

0 Пользователей и 5 Гостей просматривают эту тему.

Оффлайн ua3ahm

  • Очный чемпионат
  • Ветеран
  • *****
  • Сообщений: 936
  • Репутация: +86/-17
Re: 1 кВт на УКВ, на новых транзисторах!
« Ответ #450 : 10 Январь 2013, 18:16:30 »
Павел,а тебе не сложно проверить теперь без термистера? Можешь его зменить на обычный резистор того же номинала,догнать опять до 65 градусов и померить ток покоя?
(Кстати,я собрал тебе один дипольчик с кабельным трансформатором,можешь забрать и проверить)

Оффлайн ra3acy

  • Пользователь
  • **
  • Сообщений: 44
  • Репутация: +6/-1
Re: 1 кВт на УКВ, на новых транзисторах!
« Ответ #451 : 10 Январь 2013, 19:48:08 »
Мой усилитель при начальном токе порядка 1а требует стабилизированного напряжения
на затворах  +1,9 вольт,  транзистор ...5600...  Термостатирование не применяю. Плата и радиатор охлаждаются постоянно, контролирую потребляемый ток и ток покоя. При  минимальных затратах на обвес усилитель очень надежен и устойчив.

Оффлайн UA4FQH

  • Ветеран
  • *****
  • Сообщений: 1920
  • Репутация: +335/-20
  • QRA: LO33ib
Re: 1 кВт на УКВ, на новых транзисторах!
« Ответ #452 : 10 Январь 2013, 20:15:17 »
    Евгений, во всех  промышленных усилителях  термистор стоит, рабочая температура радиатора от 25 до 48 градусов.                                                                 
73! Олег.

alexis

  • Гость
Re: 1 кВт на УКВ, на новых транзисторах!
« Ответ #453 : 11 Январь 2013, 07:24:01 »
Буквально пару недель назад я держал в руке 300 Ваттный паллет на BLF-278 от промышленного передатчика. Задал вопрос разработчику этого узла - почему нет такой цепи термостабилизации. Он ответил, что транзистор работает в режиме С и необходимости такой нет. КПД лучше 80 процентов. Транзистор рассеивает 60 Ватт мощности, радиатор хороший. Медными промежуточными пластинами и не пахнет. Фланец транзистора хороший для такой мощности.
Ранее у меня такой паллет работал без смещения вообще.
Недавно прикрутил смещение, выставил ток покоя 2 х 0,1 ампера на транзистор BLF278, Ку сразу возрос, вместо 8 ватт пришлось дать всего 2 ватта для получения той же мощности. Ток не плывет даже без термостабилизации. Не знаю зачем такие заморочки, хотя и радиатор греется. Это же вам не биполярники.  :)
Ток покоя одинаковый что с холодным что с разогретым радиатором, а греется он не кисло, до 50 градусов, даже при активном обдуве.
КПД одиночного каскада может и лучше, но он же работает в связке с возбудителем, а с него нужно повыщенную мощу давать, в итоге возбудитель это и съест и общий КПД системы сровняется...
Со смещением работает УМ как-то мягче и отзывчевее что ли, тем более снижается риск перекачать его по затворам. Я из-за этого както пальнул один транзюк такой.
На каждом транзисторе есть буковка, соответствующая необходимому смещению.  L - 3.4 Вольта на затворе. Но это не означает, что транзистор открыт. Именно при этом напряжении транзистор только начинает открываться. И напряжение смещения не равно 0 Вольт. При этом Ку меньше. Выбирают золотую серединку - когда транзистор только начинает приоткрываться. Наличие буковки позволяет лучше подобрать транзисторы. Их проверяют предварительно на заводе и маркируют.
Впервые такое слышу. Ни в одном даташите об этом ни слова... Может это буковки какието служебные для производителя но не для нас?
У меня транзюк открыт с током покоя 0,2 А на обе половинки уже при смещении ниже 3 вольт.
ИМХО лучше не брать за критерий напряжение на затворах, делать по току покоя надежнее.
« Последнее редактирование: 11 Январь 2013, 07:37:17 от Алексей exRV9CAG »

Оффлайн RK3QYA Team

  • Ветеран
  • *****
  • Сообщений: 843
  • Репутация: +31/-9
Re: 1 кВт на УКВ, на новых транзисторах!
« Ответ #454 : 11 Январь 2013, 08:48:14 »
...
Но на надёжность усилителя, в данном случае, не влияет -
у MOSFET-ов сопротивление открытого канала растёт при повышении температуры.

Ток покоя у них растет при нагреве, что создает положительную обратную связь по теплу.
Усиление при нагреве снижается, иногда - весьма значительно.

Для LDMOS транзисторов необходимая термокомпенсация смещения составляет около 50 мВ на градус.

Alexander, RU5KO

alexis

  • Гость
Re: 1 кВт на УКВ, на новых транзисторах!
« Ответ #455 : 11 Январь 2013, 09:55:55 »
Почему же так, сопротивление канала растет и ток растет? Противоречие однако...

Оффлайн ex ua3qhp

  • Постоялец
  • ***
  • Сообщений: 67
  • Репутация: +0/-0
Re: 1 кВт на УКВ, на новых транзисторах!
« Ответ #456 : 11 Январь 2013, 12:53:02 »
Одновременно снижается пороговое напряжение.

Оффлайн RZ4HD

  • Ветеран
  • *****
  • Сообщений: 4610
  • Репутация: +794/-224
  • Дружу с паяльником 57 лет
Re: 1 кВт на УКВ, на новых транзисторах!
« Ответ #457 : 11 Январь 2013, 13:00:32 »
Здравствуйте, коллеги. Алексей. Про транзюки и нетолько... Я могу, но просто не буду делать фотографию своего транзистора BLF-278. Не хочу терять время. Проще взять аукционную. Здесь тоже буковка L. Есть специальная таблица, где приведены буковки и соответствующие этой буковке напряжения смещения. Да, она не в даташите. То, что Вы впервые об этом слышите не означает, что таблицы нет, а маркировку, на которую не обращают внимание,ставят просто так... Я видел такую таблицу у разработчиков. Она висит у них прямо перед глазами.
 Юрий. RZ4HD.
Я не такой богатый, чтобы покупать дешёвые вещи. А скупой всегда платит дважды.

Оффлайн ER1LW / ER6A / VE7LWW

  • Старожил
  • ****
  • Сообщений: 227
  • Репутация: +15/-1
  • QRA: KN46KW
Re: 1 кВт на УКВ, на новых транзисторах!
« Ответ #458 : 11 Январь 2013, 14:53:05 »
    у MOSFET-ов сопротивление открытого канала растёт при повышении температуры.

Ток покоя у них растет при нагреве, что создает положительную обратную связь по теплу.

Тут какая-то не стыковка. Ток покоя зависит от сопротивления канала ( типа I=U/R ). Если R растёт, то ток как раз и должен падать. Т.е. как раз и отрицательная обратная связь по температуре.

Пока свой не запустил, но не сильно хочется усложнять конструкцию, т.к. всякие блокировки, стабилизации усложняют систему и повышают отказоустойчивость. Но и стоимость транзистора тоже заставляет задумываться о том, чтоб по пустякам карман не опустошать. Поэтому и хочется сделать надёжным, но не избыточно.
"Группа исследователей переходных процессов, происходящих при осцилляции напряжений и токов больших амплитудных и эффективных значений, периодом колебаний в диапазонах метровых, дециметровых и сантиметровых волн" :)

http://er1lw.ucoz.net

Оффлайн ER1LW / ER6A / VE7LWW

  • Старожил
  • ****
  • Сообщений: 227
  • Репутация: +15/-1
  • QRA: KN46KW
Re: 1 кВт на УКВ, на новых транзисторах!
« Ответ #459 : 11 Январь 2013, 14:56:02 »
Одновременно снижается пороговое напряжение.

Теперь понятно. Не заметил.
"Группа исследователей переходных процессов, происходящих при осцилляции напряжений и токов больших амплитудных и эффективных значений, периодом колебаний в диапазонах метровых, дециметровых и сантиметровых волн" :)

http://er1lw.ucoz.net

Оффлайн RN3DKQ

  • Ветеран
  • *****
  • Сообщений: 1095
  • Репутация: +298/-11
  • Иван, KO85WS
Re: 1 кВт на УКВ, на новых транзисторах!
« Ответ #460 : 11 Январь 2013, 15:02:34 »
Да нет, всё как должно быть. Растёт сопротивление Открытого (полностью открытого) канала.
От этого зависит ток стока на максимальном сигнале.
Ток покоя это другое, он действительно растёт с температурой.
Если запираем/выключаем усилитель в режиме приёма,
то, в принципе, и пускай он себе растёт, ток покоя, при нагревании.
С другой стороны, как говорил, кажется, Хоровиц-Хилл
"если за 10 центов схему можно сделать лучше, то почему бы это не сделать".
« Последнее редактирование: 11 Январь 2013, 15:17:13 от RN3DKQ »

alexis

  • Гость
Re: 1 кВт на УКВ, на новых транзисторах!
« Ответ #461 : 11 Январь 2013, 16:12:19 »
Здесь тоже буковка L
Может быть вернее то, что буковка "L" указывает на технологию производства этого транзистора - LDMOS,
а буковка "V" наоборот VDMOS...

Оффлайн RZ4HD

  • Ветеран
  • *****
  • Сообщений: 4610
  • Репутация: +794/-224
  • Дружу с паяльником 57 лет
Re: 1 кВт на УКВ, на новых транзисторах!
« Ответ #462 : 11 Январь 2013, 17:56:40 »
Алексей. Вы про эту букву L на корпусе BLF-278 можете думать что хотите. Ваше право на это. Может это для Вас и вернее будет. А я буду применять заранее нанесенную на заводе информацию. Если бы я этого не знал, то и не писал бы. Я людей не обманываю и не ввожу в заблуждение. Таблица не у меня. Просто покупал транзистор с буквой L  и на мой вопрос по смещению разработчик посмотрел в таблицу и все разъяснил. А вот разновидностей там с десяток. Не меньше.
BLF-278  - это по даташиту dual push-pull silicon N-channel enhancement mode
vertical D-MOS transistor. Это прилично старый транзистор. Я не теоретик. В дебри пусть лезут другие, но на счет смысла букв L и V Вы абсолютно не правы.
Юрий. RZ4HD.
« Последнее редактирование: 11 Январь 2013, 18:03:02 от RZ4HD »
Я не такой богатый, чтобы покупать дешёвые вещи. А скупой всегда платит дважды.

Оффлайн EW3KO

  • Постоялец
  • ***
  • Сообщений: 143
  • Репутация: +18/-3
  • Подпись находиться в стадии разработки
  • QRA: ko32bd
Re: 1 кВт на УКВ, на новых транзисторах!
« Ответ #463 : 11 Январь 2013, 17:59:52 »
BLF278 буква L напряжение  на затворе  мин. 3.0в макс 3.1вольта  .Страница 4 даташит.  Для биполярных  транзисторов буквенное обозначение другое  ( обозначение HFE )- http://engineering.rohmsemiconductor.com/index.php?_m=knowledgebase&_a=viewarticle&kbarticleid=1
« Последнее редактирование: 11 Январь 2013, 18:07:14 от EW3ABC »
73!Александр EW3KO

Оффлайн UA4FQH

  • Ветеран
  • *****
  • Сообщений: 1920
  • Репутация: +335/-20
  • QRA: LO33ib
Re: 1 кВт на УКВ, на новых транзисторах!
« Ответ #464 : 11 Январь 2013, 21:27:12 »
Предлагаю вариант схемы смещения без термистора.Но принцип такой же.
73! Олег.