С точки зрения согласования, GaN транзисторы от LDMOS не отличаются.
Основное отличие - это отрицательное напряжение смещения, и требование строго соблюдать последовательность подачи напряжений питания и смещения. Сначала смещение, потом - питание. Иначе транзисторы горят "синим пламенем". Да, еще они работают с небольшим током затвора, поэтому цепь смещения должна быть низкоомной.
Что касается QPD1016, то он преимущественно предназначен для усиления импульсных сигналов, тем более, что отдает 500 Вт при компрессии 3 дБ.
В CW или SSB с него можно будет снять примерно ватт 300-350.