Александр, приветствую . По данным pdf транзистор разрабатывался для применений в импульсных РЛС с параметрами импульсная мощность 280 ватт ширина импульса 100 микросекунд,скважность t=10 . Значит Р средняя = Р имп / t = 280ватт/10=28ватт Работать то он конечно будет , но вот сколько выжать из него можно это надо экспериментировать, здесь определяется тепловым потоком который сможет отвести система теплоотведения (радиатор воздушный, жидкостная ,испарительная системы ) . Сможете от него отвести тепло - значит будет жить в конструкции .
Вообще общее для всех абсолютно усилительных приборов ,не важно полупроводники или электровакуумные - способность корпуса ,конструкции отводить тепло из активной зоны прибора , то есть обеспечивать тепловой режим кристалла (для транзисторов) .Сам то кристалл может и будет работать при повышенных мощностях,для кристаллов параметр - тепловая мощность разрушения кристалла - но вот корпус,точнее переходная зона между кристаллом и "блином" подложкой на которую кристалл крепиться в корпусе ... Для примера возьмите какой нибудь импортный транзистор в корпусе как у нашего 2Т930А .На наш транзистор заявлено 35 ватт выходной мощности ,а на импортный 350 ватт .Это вовсе не означает ,что импортный обошёл наш аж в 10 раз по этому параметру ! Просто разные режимы измерений .Это простой маркетинговых ход , так как многие не вдумываются ,что это за мощность заявлена - мощность она и есть для них мощность ...Но она бывает разная , точнее зависит от режима работы - средняя,импульсная,долговременная непрерывная,кратковременная .
