В конечном варианте меняется баланс фаз из-за изменения полной электрической длинны линии.
Хочется подстраивать фазу не меняя согласование. То есть нужно изменять электрическую длину линий на плате между делителем мощности и входом половинки РА. Идея Ивана с накладкой диэлектрика интересна. Можно попробовать вместо бруска использовать пластинку Rogers (или др СВЧ материала), сняв фольгу. Но волновое сопротивление линии изменится, и вместе с фазой уйдет согласование. Как быть?
Предлагаю обсудить вопрос использования LDMOS транзисторов для РА23см, рассчитанных для работы в импульсном режиме. Вчера провели эксперимент, подтверждающий такую возможность. НО! Если в импульсе транзистор отдает 370 Ватт, то в тоне кристалл (крышка корпуса) быстро греется. Тепло с кристалла не успевает отводиться на медную пластину
В итоге можно сделать РА для CW (SSB) 350 Ватт, но для WSJT получится 150 Ватт (ограничение по температуре кристалла). Нужен ли нам такой РА? Для режима CW или SSB на двух транзисторах реально получить 600 Ватт. Для Луны лишь 300 Ватт
РА скорее для тестов чем ЕМЕ.
Мои соображения, - если цена вопроса поднимется незначительно, то бонус в виде большой пиковой мощности не помеха. Вот только как уберечь РА от соблазна добавить раскачку и спалить РА по теплу? Пока одна идея,-установить на крышку транзистора второй датчик температуры (первый есть на медной вставке), и блокировать РТТ при нагреве крышки выше 150 С
Впрочем такой транзистор:
https://www.nxp.com/docs/en/data-sheet/A2V09H525-04N.pdf должен работать с 300 Ватт длительно. Корпус и тепловое сопротивление позволяют.
С другой стороны с этим транзистором:
https://www.nxp.com/docs/en/data-sheet/PRF13750H.pdf можно надеяться на 1000 Ватт CW! Что делать то будем, господа аматоры!?
