Автор Тема: РА на 1296 МГц с применением транзистора MRFE6S9160HS.  (Прочитано 88817 раз)

0 Пользователей и 1 Гость просматривают эту тему.

Оффлайн RV0AGY Максим

  • Постоялец
  • ***
  • Сообщений: 116
  • Репутация: +13/-1
  • maxtaylor
  • QRA: NO66LA
Re: РА на 1296 МГц с применением транзистора MRFE6S9160HS.
« Ответ #570 : 16 Декабрь 2017, 13:02:41 »
Есть вот такой усилитель мощности.1.5-1.6 гГц
А что за транзистор на выходе ?
MRF15030 на раскачке  и MRF15090 непосредственно выходной (предполагаемая мощьность на 1.5 гГц около 90 ват) , но мне кажется , -20% по частоте это не реально для этого усилителя.

Оффлайн RA3TLU

  • Ветеран
  • *****
  • Сообщений: 1708
  • Репутация: +305/-68
  • QRA: LO15WJ
Re: РА на 1296 МГц с применением транзистора MRFE6S9160HS.
« Ответ #571 : 16 Декабрь 2017, 13:56:31 »
Да овчинка выделки не стоит , можно запустить работать будет но даст от силы в таком виде ват 20-30 и все ! Легче и быстрей собрать плату DF9IC и впаять туда MRF9080 !
ARZAMAS NN-09 RA3TLU АНДРЕЙ

Оффлайн US4ICI

  • Ветеран
  • *****
  • Сообщений: 1822
  • Репутация: +257/-78
http://forum.vhfdx.ru/usiliteli-moshchnosti/pa-1296MHz-sdelaem-vmeste/  -  тема не открывается со 2 января. Админы с модераторами на просьбы разобраться не реагируют :(
   Поделюсь соображениями по использованию транзисторов, разработанных для импульсного режима, например этой группы:
https://www.nxp.com/products/rf/rf-power-transistors/rf-aerospace-and-defense:RF-AEROSPACE-DEFENSE-HOME
   Среди них есть наш диапазон, L-Band Radar (1200-1400 MHz).  Однако нет данных о работе таких транзисторов в непрерывном режиме (WSJT) или хотя бы CW (SSB).  За последний месяц провели эксперименты по использованию  транзиcтора  AFV09P350-04N в диапазоне 23см: https://www.nxp.com/products/rf/rf-power-transistors/rf-cellular-infrastructure/450-1000-MHz/720-960-MHz-100-w-avg.-48-v-airfast-rf-power-ldmos-transistors:AFV09P350-04N   По S параметрам он может работать до 1500 МГц, что подтвердилось на практике.
Собран макет РА с мощностью 350 Ватт CW (48В, 14А).  Однако крышка корпуса транзистора быстро нагревается непрерывной несущей до недопустимо высокой температуры :(  В режиме WSJT можно рассчитывать на 150-180 Ватт.  Причина, на наш взгляд в этом, -
Thermal Resistance, Junction to Case  R jc = 0.45 C/W   - тепловое сопротивление между кристаллом и дном корпуса не позволяет отводить необходимое количество тепла на медь (радиатор).  В результате кристалл разогреется и сгорит :(  Не поможет жидкостное охлаждение или радиатор большой площади.  Ограничение заложено в конструкцию самого транзистора, - преодолеть его невозможно!
    Кто хочет воспользоваться нашим опытом может приобрести транзистор, например здесь: https://ru.mouser.com/ProductDetail/NXP-Freescale/AFV09P350-04NR3/?qs=sGAEpiMZZMtlPsHOBk0%2FboxLeKNPxFus17Duu6iGSHciAIdYhm43Ng%3D%3D
   Попытка купить транзисторы в Китае закончилась печально, - 20 штук перемаркированных транзисторов подходят лишь для стрельбы из рогатки :( Жаль, был шанс собрать РА 600-700 Ватт на 2шт для тестов (CW, SSB).  Для ЕМЕ нет смысла.

Вывод. 
Транзисторы, разработанные для импульсных режимов, можно использовать в CW, SSB. Для WSJT мощность нужно снижать вдвое или более. При выборе транзистора для РА следует обращать внимание на его тепловое сопротивление. Чем меньше тепловое сопротивление, тем большую мощность можно получить в режиме непрерывной несущей.
   
« Последнее редактирование: 10 Январь 2018, 09:08:25 от US4ICI »
Павел  US4ICI

Оффлайн RA3TLU

  • Ветеран
  • *****
  • Сообщений: 1708
  • Репутация: +305/-68
  • QRA: LO15WJ
Вывод. 
Транзисторы, разработанные для импульсных режимов, можно использовать в CW, SSB. Для WSJT мощность нужно снижать вдвое или более.
Я рассуждал проще , зачем такой большой и блестящий транзистор пример
http://(http://pdf1.alldatasheet.net/datasheet-pdf/view/310119/FREESCALE/MRF8S21200HR6.html) и выдает всего 48 ват .
Все есть и все работает и в некоторых инструкциях написано ( режим радара , режим маяка )
ARZAMAS NN-09 RA3TLU АНДРЕЙ

Оффлайн RU3MD Константин

  • Глобальный модератор
  • Ветеран
  • *****
  • Сообщений: 1149
  • Репутация: +244/-75
  • RT2T Team
http://forum.vhfdx.ru/usiliteli-moshchnosti/pa-1296MHz-sdelaem-vmeste/  -  тема не открывается со 2 января. Админы с модераторами на просьбы разобраться не реагируют :(
Уже работает. Кстати, мне просьба не приходила.
Константин  ru3md(гав)mail.ru
http://rt2t.ru/

Оффлайн ok2kkw

  • Пользователь
  • **
  • Сообщений: 46
  • Репутация: +32/-2

Оффлайн US4ICI

  • Ветеран
  • *****
  • Сообщений: 1822
  • Репутация: +257/-78
В старой библиотеке элементов MWO V8 обнаружил нелинейную модель транзистора BLF6G10LS-260P
http://www.ampleon.com/products/mobile-broadband/0.4-1.0-ghz-transistors/BLF6G10LS-260PRN.html

Создан проект РА23см. Схема балансная  с балунами из кабеля 50Ом на входе и выходе.
Результат виден на графиках КСВ по входу, выходной мощности и PAE (КПД). 
Раскачка при этом 34 дБм (около 4 Ватт).
Выходная мощность 330 Ватт, КПД 65% (28В)
Расчет сделан для материала RO4350B, 0.03 дюйма толщиной.
Тепловое сопротивление корпуса транзистора 0.28 K/W дает надежду получить 260 Ватт в режиме непрерывной несущей (WSJT).
Транзистор снят с производства но добываем на вторичном рынке:
https://ru.utsource.net/itm/p/6661050.html
Рекомендуемая замена BLP8G10S-270PW
Кто готов заняться экспериментами с этим транзистором, обращайтесь, пришлю топологию линий платы.

« Последнее редактирование: 14 Январь 2018, 17:06:57 от US4ICI »
Павел  US4ICI

Оффлайн RW3XL Игорь

  • Очный чемпионат
  • Ветеран
  • *****
  • Сообщений: 2557
  • Репутация: +344/-30
  • QRA: KO84dm
Пробовал я MRF10502. 60 ватт получилось секунд на десять. Хорошо за дешево достался.  :laugh:
aka RK3X

Оффлайн ua4fkd Сергей

  • Ветеран
  • *****
  • Сообщений: 2102
  • Репутация: +124/-46
  • QRA: LO13HL
Может кому будет интересно (можно отрыть отдельную тему) использование данного транзистора на диапазоне 70 см. Статья на чешском, но в принципе все основное понятно
 

http://ok1ufc.sweb.cz/EME_70_s/PA_simple/PA_simple.htm 
открывай, давно вьюсь около ok1ufc рассчётов, только сомневаюсь чё то .размеры плат настораживают
https://yadi.sk/a/rlWjHYAn3VFnTz

https://www.instagram.com/ua4fkd/

Оффлайн US4ICI

  • Ветеран
  • *****
  • Сообщений: 1822
  • Репутация: +257/-78
Настроили макет двухкаскадного  РА  MRF9030L+MRFE6S9160H.
При раскачке 0.1 Ватт на выходе 180 Ватт, 28В, 14А
Начальный ток первого каскада 0.4А, второго 0.6А.
Отдельно 9030 выдает 25 Ватт, что достаточно для раскачки РА на 4х 9160 транзисторах.
Полезное решение при работе с маломощным трансвертером, когда раскачки для 9160 транзистора не достаточно.
Теперь есть надежда получить 600 Ватт от трансвертера мощностью 0.1-0.2 Ватт.
« Последнее редактирование: 15 Январь 2018, 21:04:15 от US4ICI »
Павел  US4ICI

Оффлайн US4ICI

  • Ветеран
  • *****
  • Сообщений: 1822
  • Репутация: +257/-78
Добавлю фото 2х каскадного усилителя Pin=0.1 Watt, Pout-150 Watt.
Вполне замена драйвера на модуле RA18 получается :)

Есть задумка сделать драйвер на MRF9030 с делителем мощности Anaren -3 dB на выходе.
Позволит раскачивать моно-блоки 150 или 300 Ватт от 0.2 Ватт трансвертера.

Рекомендованная замена MRF9030L 2х каскадная сборка MWIC930N:
https://www.nxp.com/docs/en/data-sheet/MWIC930N.pdf
Для раскачки достаточно 0 дБм!    Причем входное сопротивление согласовано на 50 Ом.
Питание 28В, Pout=30 Watt.  Раскачать получится даже от PLL без дополнительных усилителей :)
« Последнее редактирование: 17 Январь 2018, 09:56:54 от US4ICI »
Павел  US4ICI

Оффлайн RZ4HD

  • Ветеран
  • *****
  • Сообщений: 3784
  • Репутация: +392/-141
  • Дружу с паяльником 50 лет
Здравствуйте. Изготовил и протестировал усилительный модуль с применением печатных плат, изготовленных из 1.5 мм ФАФ-4Д с применением самодельной металлизации с помощью заклёпок. Дизайн разрабатывал Павел US4ICI, за что ему огромное спасибо. Что могу сказать честно. В дизайне не понравилось то, что линия для 1.5 ФАФ-4Д должна была быть шире и на много. Плюс Павел убрал второй трансформирующий элемент, который был в более ранних версиях. Да, это укорачивает размеры, но резко изменяет логику трансформации. Это не камень в огород Павлу. Павел ответил, что в программе MWO всё работает. Решил после этих слов изготовить и опробовать усилитель. Разработал и изготовил два варианта плат. В одном варианте первый дроссель изготавливался в виде полосковой линии.  Во втором варианте в качестве обоих дросселей использовались катушки. Усилитель спокойно выдаёт 150-160 Ватт при входной мощности ориентировочно в 2.5 Ватта. Усилитель выдаёт без особых проблем и 175 Ватт. Дальше я просто не раскачивал. Я считаю подобный узел, как 150 Ваттный усилитель.
           Толщина платы в 1.5 мм является критической для данного типа транзисторов. Она вплотную входит под выводы транзистора. Плюс самодельная металлизация поднимает плату над медным субрадиатором. Но платы и транзистор припаялись в общем без особых проблем. Вход транзистора настроился до КСВ=1.1  Выходные конденсаторы, особенно около стоков!!! необходимо применять только АТС-100В. По крайнем мере, не хуже по параметрам по проводимой ими реактивной мощности на 1296 МГц и рассеиваемому корпусом теплу. Эти конденсаторы необходимо подбирать для получения максимальной отдаваемой мощности.
       Конденсаторы около стоков нагреваются гораздо сильнее, нежели в дизайне РА, где применяется двойная внешняя трансформирующая цепь в дополнение к согласующему и трансформирующему звену внутри самого транзистора. Нагрев не критический. Дело в том, что конденсатор в этом месте пропускает через себя токи и внутреннего и внешнего согласующих звеньев. Внешнее согласующее звено всего одно и токи здесь более значительные. Естественно и больший нагрев. Но… Всё работает. Рекомендую таки собирать РА с применением дизайна с двумя внешними трансформирующими элементами на основе или 0.762 мм импортного ламината или 1 мм ФАФ-4Д. Юрий.
« Последнее редактирование: 19 Январь 2018, 10:20:47 от RZ4HD »
Я не такой богатый, чтобы покупать дешёвые вещи. А скупой всегда платит дважды.

Оффлайн EW6FS

  • Постоялец
  • ***
  • Сообщений: 114
  • Репутация: +34/-1
Коллеги, приветствую всех на форуме! Вот решил и свой вариант конструктивного исполнения усилителя предоставить на обсуждение.
Плату изготовил из RO4003 0.5 по расчетам Павла, US4ICI, которые раньше он размещал на этом форуме, TNX.
Транзистор оригинальный, проблем с настройкой не возникло. Получил легко 150W и больше не пробовал, с дешевыми  китайскими транзисторми получалось не более 90W.
Из-за отсутствия мощных реле пришлось ограничиться мощностью в 100W (на входе 1.5W) Усилитель отработал в ПД 2017 и тропо.
Совсем недавно собрал и настроил  РА на двух MRFE6S9160, но пока без корпуса и коммутации.
Нашел график коммутируемой мощности реле Ducommun, может кому пригодится.
73!
Антон

Оффлайн RA3TLU

  • Ветеран
  • *****
  • Сообщений: 1708
  • Репутация: +305/-68
  • QRA: LO15WJ
Добрый день Антон ! Сделано все с умом и руками мне очень нравиться для диапазона 23 см некоторым УРОК а Вам +  !
ARZAMAS NN-09 RA3TLU АНДРЕЙ

Оффлайн RZ4HD

  • Ветеран
  • *****
  • Сообщений: 3784
  • Репутация: +392/-141
  • Дружу с паяльником 50 лет
Здравствуйте, Антон. Какое напряжение питания применили? При каком токе стока получается мощность в 150 Ватт? Какой КПД и коэффициент усиления усилителя получился? При каком напряжении на затворе получился ток покоя в 1 Ампер? Речь идёт об оригинальном транзисторе. Где Вы его покупали?
       Я тестировал и оригинальные транзисторы и транзисторы, купленные у UTSOURCE. Все неоригинальные транзисторы выдавали 160-170 Ватт без проблем. Я вчера закончил тестирование очередного паллета с применением в качестве дросселей катушек. С китайского транзистора 9160 получил 200 Ватт без проблем.  Это пока самое лучшее, что было получено. Не по мощности. По параметрам, которые выдал тестируемый дизайн. Вы может быть не настроили правильно выходную трансформирующую цепь. Юрий.
« Последнее редактирование: 19 Январь 2018, 20:59:50 от RZ4HD »
Я не такой богатый, чтобы покупать дешёвые вещи. А скупой всегда платит дважды.