http://forum.vhfdx.ru/usiliteli-moshchnosti/pa-1296MHz-sdelaem-vmeste/ - тема не открывается со 2 января. Админы с модераторами на просьбы разобраться не реагируют

Поделюсь соображениями по использованию транзисторов, разработанных для импульсного режима, например этой группы:
https://www.nxp.com/products/rf/rf-power-transistors/rf-aerospace-and-defense:RF-AEROSPACE-DEFENSE-HOME Среди них есть наш диапазон, L-Band Radar (1200-1400 MHz). Однако нет данных о работе таких транзисторов в непрерывном режиме (WSJT) или хотя бы CW (SSB). За последний месяц провели эксперименты по использованию транзиcтора AFV09P350-04N в диапазоне 23см:
https://www.nxp.com/products/rf/rf-power-transistors/rf-cellular-infrastructure/450-1000-MHz/720-960-MHz-100-w-avg.-48-v-airfast-rf-power-ldmos-transistors:AFV09P350-04N По S параметрам он может работать до 1500 МГц, что подтвердилось на практике.
Собран макет РА с мощностью 350 Ватт CW (48В, 14А). Однако крышка корпуса транзистора быстро нагревается непрерывной несущей до недопустимо высокой температуры

В режиме WSJT можно рассчитывать на 150-180 Ватт. Причина, на наш взгляд в этом, -
Thermal Resistance, Junction to Case
R jc = 0.45 C/W - тепловое сопротивление между кристаллом и дном корпуса не позволяет отводить необходимое количество тепла на медь (радиатор). В результате кристалл разогреется и сгорит

Не поможет жидкостное охлаждение или радиатор большой площади. Ограничение заложено в конструкцию самого транзистора, - преодолеть его невозможно!
Кто хочет воспользоваться нашим опытом может приобрести транзистор, например здесь:
https://ru.mouser.com/ProductDetail/NXP-Freescale/AFV09P350-04NR3/?qs=sGAEpiMZZMtlPsHOBk0%2FboxLeKNPxFus17Duu6iGSHciAIdYhm43Ng%3D%3D Попытка купить транзисторы в Китае закончилась печально, - 20 штук перемаркированных транзисторов подходят лишь для стрельбы из рогатки

Жаль, был шанс собрать РА 600-700 Ватт на 2шт для тестов (CW, SSB). Для ЕМЕ нет смысла.
Вывод. Транзисторы, разработанные для импульсных режимов, можно использовать в CW, SSB. Для WSJT мощность нужно снижать вдвое или более. При выборе транзистора для РА следует обращать внимание на его тепловое сопротивление. Чем меньше тепловое сопротивление, тем большую мощность можно получить в режиме непрерывной несущей.