Ну прошу прощения, коли ТС хочет уроков.
В моем понимании по теории 4-х полюсников полная матрица показывает связи между всеми портами. И этот 4-х полюсник в виде s-параметров представляется как "черный ящик". Коли так, то давайте от сложного усилителя на транзисторе уйдем в более простое. Заменим этот черный ящик например на т-образный резистивный аттенюатор ну пусть на 3дБ. И как Вы думаете, если сделать ХХ(КЗ) на одном порте, то на противоположном, что то изменится? И на сколько? Можете на диаграмме смитта показать как и объяснить почему? (это первая задачка с которой нужно начинать обучние). Покажите свой расчет на листочке, карандашиком, (без учета набега фазы, все идеальное бесконечно малой длинны) ... (блин я уже наверно сам не смогу, хотя эмпирически знаю)
Потом то же самое на 10дБ, 20дБ, 100дБ
Кстати Вы знаете чем определенная матрица отличается от неопределенной? и почему у 4-х полюсника на транзисторе всего два порта?

Ну и далее повторю про s12. Как я думаю, по простецки:
Пусть имеем усилительный каскад на транзисторе который имеет коэффициент усиления, ну пусть +20дБ, а пролаз выходной мощности на вход транзистора в районе -22дБ. И как Вы думаете транзистор абсолютно устойчив? и будет ли изменятся его КСВ от коэф.усиления или пролаза.
А рождается этот s12 от паразитных ёмкостей переходов база-коллектор.
p.s. Прошу прощения за моё сообщение в формате лекций.
