…Понадобились несколько конвертеров для других целей, а именно - это готовый 10 GHz LNA...
Недавно в соседней ветке выкладывал результат «вскрытия» ТВ SAT (PLL) конвертера. В галерее – фото разборки и сборки с дополнительно изготовленной платой питания. МШУ выполнен по принципу
Я просто вырезаю платку из LNB и либо SMA разъем ставлю с другой стороны, либо просто на свой волновод переставляю. http://ra3wdk.qrz.ru/LNA/2stage_LNA10G.jpg http://ra3wdk.qrz.ru/10ghz.htm МШУ на 10 ГГц самые простые в изготовлении для Ham Radio
На сайте автора есть эти конструкции. Усилитель проверялся только на работоспособность и устойчивость. Как правило, с устойчивостью проблем обычно нет – топология конвертеров отработана в N тысяч экземпляров. По памяти ранее один раз был "флуд" - очевидно, уже из-за внешних подключений, но удалось устранить близко расположенным экраном (на высоте от платы 4...5мм, как в оригинале конструкций), причем не в виде плоского экрана над платой, а пришлось в виде "крышечки". Немного об узле питания. В серийных конвертерах (здесь имеются ввиду конвертеры раннего выпуска, не новые PLL) применяется специальная микросхема, которая обеспечивает питание для 4 (есть и для 6 – по 2 или 3 транзистора в каналах H и V LNA) каскадов с фиксированным значением режима +2В/10мА (для всех каскадов). У этих микросхем есть внешний резистор, номиналом которого можно корректировать этот режим в небольших пределах (тоже для всех 4/6 каскадов). Практически для всех транзисторов, применяемых в SAT конвертерах по Даташитам этот режим +2В/10мА является оптимальным для мин. Кш. Поэтому можно было бы и не устанавливать переменные резисторы в плате питания, а подобрать их к этому режиму. Во втором каскаде имеет смысл установить ток 15…20мА – режим более оптимальный для условия макс. Ку. Аналогично – можно без регулировки. Практически на всех платах, которые мне приходилось приспосабливать под эти цели, резистор в стоке транзистора производителем устанавливается номиналом 10 Ом (микросхема выдает 2,1В – падение на резисторе 0,1В при таком токе). Поэтому пришлось понижать напряжение с +5В сначала до 3,3В и затем диодом. В точке питания после диода под нагрузкой величина напряжения +2,45…2,55В. Напрямую питать от 3,3В через резистор бОльшего номинала нежелательно, т.к. при регулировке тока транзистора будет бОльший уход напряжения на стоке. От 5В питать уже опасно без применения специальных мер защиты – обычно макс. допустимое для этих транзисторов +4В. При обрезке платы один из резисторов 10 Ом у меня повредился, на плате питания пришлось установить 43 Ом вместо 33 Ом. Напряжение на стоке транзистора уменьшается (от 2В), когда мы увеличиваем ток транзистора (увеличение Ку), но (проверял несколько раз) – как правило напряжение слабо влияет на Ку, основным параметром здесь является ток. На последней фото еще один вариант МШУ – его я просто подключил, проверил работоспособность транзисторов (NE3512). Для этой платы, скорее всего плату питания сделаю другую, она будет вполовину меньше. Этот МШУ не «универсальный», а в конкретную конструкцию. Первый вариант для питания по алгоритму: +12V RX, второй по алгоритму: -Eg всегда и +5V RX. В выходные постараюсь установить и проверить хотя бы по люминесцентной лампе.
