Кста, меня давно вопрос гложет.
Структура полевого транзистора очень похожа на сверхтонкопленочный резистор, ну очень грубо.
Притом не просто резистор, а резистор, изменяющий свое сторотивление от напряжения, приложенного к затвору.
Ток стока и есть напряжение питания деленное на это импровизированное сопротивление. Вроде понятно.
Далее, из всех доступных источников вытекает, что чем ниже стопротивление, тем ниже ЭДС шума при прочих равных условиях. То есть, чем выше ток стока, тем ниже шумит транзистор? Ну или чем ниже напряжение питания каскада усиления, при том-же токе стока...
Кажись в чем-то не прав, никак не могу понять - в чем?