Сделал MWO проект РА23см на MRF8S9200H:
https://www.nxp.com/docs/en/data-sheet/MRF8S9200N.pdfPin=10Watt, Pout=240Watt, Idc=0.7A, Iac=14.5A, Udc=30V, PAE=54%, G=13.8dB
В сравнении с MRFE6S9160H требуется как минимум вдвое больше раскачка, и 10 Ватт трансивера может быть недостаточно.
Возможность реализовать такой РА для работы WSJT циклами покажет только макет в железе.
Интересно проверить MRF8S9260H, средняя мощность которого вдвое выше чем у 9160:
https://www.nxp.com/docs/en/data-sheet/MRF8S9260H.pdf У этого транзистора другой корпус (больше фланец).
Обратил внимание на этот транзистор:
https://www.digikey.com/product-detail/en/ampleon-usa-inc/BLF0910H9LS600U/1603-1161-ND/8637946 600 Ватт в корпусе как 9160, хороший КПД, относительно не дорог. Новая разработка Ampleon, Б/У искать рано.
Топология не сложна, материал RO4350B, 0.03, 1oz
Графики, схема, 3D и рисунок топологии ниже.
Успехов в конструировании новых РА23см в 2020 году!
PA23cm_MRF8S9200.
3D_MRF8S9200H.gif
Sch_9200H.gif