Обратил внимание на сборки РА, - два каскада с усилением более 30 дБ, и входным сопротивлением 50 Ом:
http://www.nxp.com/assets/documents/data/en/data-sheets/MWIC930N.pdf Может получиться хороший драйвер с Pn=0.2 Watt, Pout=30 Watt который заменит модуль RA18. Такие усилители есть здесь:
https://ru.utsource.net/ic-datasheet/MWIC930N-1745405.html https://world.taobao.com/item/531875935045.htm?spm=a312a.7700714.0.0.oPShhl#detail у кого есть опыт покупок на Taobao? Современный транзистор 250 Ватт, 1300 МГц почти даром
![Улыбка :)](http://forum.vhfdx.ru/Smileys/sarcasmics/smiley.gif)
Считать ничего не надо, можно повторить плату из даташит (есть dxf производителя).
Из транзисторов, разработанных для диапазона GSM900 на 1300 МГц можно пробовать те, у которых нет выходной встроенной согласующей цепи. Здесь:
http://www.nxp.com/products/rf/rf-power-transistors/rf-cellular-infrastructure/450-1000-MHz:RF-CELLULAR-1-AMPLIFIERS#/&mvf=p141~Input,Unmatched&page=1 легко увидеть подходящие. MRFE6S9160 относится к таким. Есть новые до 120 Watt AVG, - до 350 Ватт P3 dB.
http://www.richardsonrfpd.com/Pages/Product-Details.aspx?productId=1173947 - один из них.
Первые попытки запустить MRF8S9260 успеха не имели
![Грустный :(](http://forum.vhfdx.ru/Smileys/sarcasmics/sad.gif)
Не получается раскачать. Сдаваться рано, тем более RZ4HD раскачал его до 17А
![Улыбка :)](http://forum.vhfdx.ru/Smileys/sarcasmics/smiley.gif)
У этого транзистора есть встроенная СЦ на выходе, S параметры даны производителем лишь до 1100 МГц. Нелинейная модель в MWO работает, но только до 1260 МГц, дальше резко теряет устойчивость.