Давайте немного посмотрим с другой стороны.
Ваши рассуждения абсолютно правильные. Но, как всегда, есть нюансы, а именно:
- при тех значениях Кш, о которых здесь говорят, а именно не более 0,5 дБ, потери в трансформирующих цепях становятся
соизмеримы с самим Кш. Мы это уже прошли - добротности элементов катастрофически не хватает.
- как показывает практика, при использовании "правильных" транзисторов можно найти компромисс между Кш и входным КСВ.
Ко второму замечанию необходимо добавить следующий комментарий:
- для получения Кш значительно ниже 1 дБ следует использовать GaAs транзисторы. У этих транзисторов есть абсолютно четкая
зависимость между шириной из затвора и их же частотными свойствами, а именно: чем шире затвор, тем на более низких частотах
можно использовать транзистор. Такая же зависимость есть между устойчивостью и возможностью сблизить по частоте
оптимальное по шумам и по КСВ согласование. Такое сближение осуществляется путем добавления индуктивности в затвор
транзистора, что, естественно, снижает его устойчивость. На этом круг замыкается.
А что же в сухом остатке?
Да, в общем-то, одна абсолютно банальная вещь: МШУ на GaAs транзисторе, имеющий вменяемый КСВ (не более 2) и приемлимые
шумы (не хуже 0,5 дБ) принципиально склонен к самовозбуждению на высоких частотах (более 2-4 ГГц), и не будет работать
без использования поглотителя высокочастотной энергии на частотах ниже 500 МГц. Есть, кстати, еще одно замечание:
транзистор, прекрасно работающий на частоте 12 ГГц, скорее всего,не будет работать вовсе на частоте 144 МГц. И здесь, я думаю, ничего нового никто не услышал.
Жуткая неустойчивость таких МШУ обусловлена попыткой сблизить по частоте оптимумы по шумам и по КСВ.
Все выше приведенные рассуждения основаны на личном опыте и ни на что НЕ претендуют.
Хотя, еще раз повторюсь, мы уже давно отклонились от объявленной темы...