1 кВт на УКВ, на новых транзисторах!
Назад-
Здравствуйте.
Да вы без переделок подайте 144 на вход и посмотрите что будет...
Платы на вид вариация стандартных схем..
Константин. -
Да вы без переделок подайте 144 на вход и посмотрите что будет...
Малой-малой мощностью
Примерное согласование по входу в полосе можно, кстати, любым хашником посмотреть. Да и "на проход" - возможно получится (если раскачать как следует).
То RA3DRC.
Если вдруг надумаете избавляться от блока - дайте пожалуйста знать. Имею интерес к агрегату "в оригинале". -
Если вдруг надумаете избавляться от блока - дайте пожалуйста знать. Имею интерес к агрегату "в оригинале".
Всё проверим. Если будет возможность, то может получится приобрести несколько блоков. Но это лучше в личку.
-
Сталкивался с подобными блоками. ЧМ передатчик. Максимальная вых мощность где то 1200-1300 Вт, используется при одном кВт.Ток покоя всех четырёх усилителей где то 300 ма, режим близок к классу C. Для цифры самое то что нужно. Хороший КПД. Раскачка - драйвер с запасом 30 Вт - обычно используется меньшая мощность 20Вт.
73. Олег -
Вот тут есть схема и полностью тех-описание 89-90 страница , только качество плохое надо качать .
http://manualzz.com/doc/6489440/pj5kps---rvr-elettronica-spa-documentation-server
И 11 страницу посмотрите внимательно прежде чем подавать на вход !
-
Спасибо всем неравнодушным за помощь. Нашёл это описание утром. Понравилась конструкция. Этот блок несколько другой, но сам блок 1 кВт на палетах такой же.
-
Здравствуйте.
Просверлить медную подложку , нарезал резьбу.
Завтра буду паять. Надо ли залуживать всю медь под платой или только под транзистором.
Константин.
20180207_115042.j
-
Видео тестирования усилителя на 144 МГц ЕВ1200 (1000Вт) с водяным охлаждением на 144 МГц:
https://youtu.be/S4sVwHjSG6o -
Кто-нибудь уже сталкивался с https://www.qorvo.com/products/p/QPD1016?
QPD1016
DC – 1.7 GHz, 50 V, 500 W GaN RF Transistor
Может уже собирали на нем киловаттные паллеты по балансной схеме?
Как должна выглядит схема обратной связи и согласования чтобы он не самовозбудился?
-
С точки зрения согласования, GaN транзисторы от LDMOS не отличаются.
Основное отличие - это отрицательное напряжение смещения, и требование строго соблюдать последовательность подачи напряжений питания и смещения. Сначала смещение, потом - питание. Иначе транзисторы горят "синим пламенем". Да, еще они работают с небольшим током затвора, поэтому цепь смещения должна быть низкоомной.
Что касается QPD1016, то он преимущественно предназначен для усиления импульсных сигналов, тем более, что отдает 500 Вт при компрессии 3 дБ.
В CW или SSB с него можно будет снять примерно ватт 300-350. -
Надо ли залуживать всю медь под платой или только под транзисторо
Надо, еще желательно подвинуть плату, чтобы транзистор был по центральной оси медяшки. Неиспользуемую нижнюю часть платы можно и обрезать, толку от ее нет. -
С точки зрения согласования, GaN транзисторы от LDMOS не отличаются.
Это в теории. С одной стороный сейчас наметился переход на более высоковольтные транзисторы с питанием 50В ( QPD1016 как раз такой) а в перспективе 65В. Такие транзисторы более высокоомные, поэтому легче согласуются с 50 омами. С другой стороны у нитридных транзисторов огромный запас по усилению на СВЧ и попытка сделать усилитель например на 144 МГц по схемам от LDMOS может привести к самовозбуждению на гигарецах в силу того что применненые компоненты никто не тестировал на таких частотах.
Вот такие вопросы и хотелось бы обсудить, возможно в отдельной теме. Например как сделать на QPD1016 балансный усилитель на 144 например. Как делать на 1.2ГГц как раз более понятно. -
Это не теория, а практика. Ну будет на 1,3ГГц усиление GaN транзистора в отличие от LDMOS не 16 , а 20дБ. Особых отличий нет. Резистор последовательно с затвором решает все проблемы.
А использовать GaN транзисторы на частотах ниже 500 МГц, если нет требований по сверх широким рабочим полосам смысла особого нет. Особенно на 144 МГц, тут LDMOS вне конкуренции. Ну может у Вас промышленная установка нагрева и разница в КПД 3% играет существенную роль. -
Здравствуйте. Напишу немного про нагрев деталей РА. В теме про РА на 144 МГц приводилась информация про нагрев кабелей с применением тепловизора. У меня его нет. В 500 Ваттном РА на 432 МГц дизайна W6PQL есть конденсатор в трансформирующей цепи. Меаталло-слюдяной конденсатор имеет малые размеры и очень сильно нагревается. В последнее время Джим применяет конструкционный конденсатор из кабеля ТС-12 взамен слюдяного. Я решил припаять кабель этого конденсатора припоем Розе, имеющим температуру плавления в 96 градусов. Через 10 секунд при мощности в 400 Ватт этот кусок кабеля отпаялся!!! И это при том, что у меня плата припаяна к 10 мм медному радиатору, что улучшает отвод тепла так как отсутствует воздушный зазор между платой и радиатором в том варианте, когда плата на радиатор прикручивается. Вот такие дела... Попробовал изготовить конденсатор из кабеля 141-25, имеющего волновое сопротивление в 25 Ом. Длину куска кабеля подобрал под необходимую ёмкость конденсатора. Место подключения не менял. Мощность при применении такого конденсатора упала процентов на 30. Видимо сильно сказывается паразитная индуктивность кабеля. Не советую делать РА с применением именно такого дизайна на транзисторе BLF-578 с планами получить 700-800 Ватт мощности. Юрий.
Конденсатор.jpg